新闻 新品
属于第三代产品，在任何额定电流条件下都具备业界最低的器件电容，可在高开关频率和轻负载条件下提升整个系统的效率。
- · 安森美携高性能电源及时脉模组参展 (03-24)
- · 世强电讯携强大产品阵容亮相2009春季IIC (03-24)
- · Vishay推出新款高速PIN光敏二极管 (11-06)
- · 英飞凌宣布推出OptiMOS 3 75V功率MOSFET系列 (06-29)
分立器件产品
- · 威世 功率MOSFET SiA921EDJ (7-02)
- · IR 电源管理 AUIRS2003S (5-12)
- · 恩智浦 二极管 BA591 (5-11)
- · 恩智浦 二极管 BY459-1500, BY459-1500S (5-11)
- · 意法半导体 功率晶体管 STL150N3LLH6 (5-06)
- · 美信 功率元器件 MAX15024、MAX15025 (4-02)
- · TI 电源管理 TPS28226 (9-21)
- · Toshiba 低通态电阻MOSFET TK40A10K3 (9-07)
分立器件新品
- · TI推出NexFET功率模块 实现最高的效率、频率以及功率密度 (06-12)
- · NXP推出0.65mm行业最低高度的2x2 mm无铅分立封装 (06-11)
- · 飞思卡尔推出首款50V RF LDMOS功率管 提供高功率密度、增益和效率 (05-27)
- · 英飞凌推出TO-220 FullPAK封装第二代碳化硅肖特基二极管 (05-25)
- · 英飞凌推出第三代高速600V和1200V IGBT 打破开关和效率界限 (05-18)
- · 英飞凌推出.XT技术大幅延长IGBT模块使用寿命 (05-13)
- · 飞兆推出MicroFET MOSFET以更小占位面积配合便携设计要求 (05-12)
- · Vishay推出30V P沟道TrenchFET功率MOSFET Si7625DN (05-06)
分立器件方案
- · NXP BLF888 500W RF广播发射方案 (05-20)
- · Wavelength FL500激光二极管驱动和评估方案 (09-07)
- · 一种新的晶圆级1/f噪声测量方法 (08-28)
- · Intersil：如何避免轨到轨CMOS放大器的不稳定性 (04-13)
- · 达林顿晶体管的PSpice建模和仿真 (04-10)
- · 一种基于电容的电磁全隔离直流电源传输电路 (03-11)
- · 基于EXB841的IGBT驱动与保护电路研究 (03-11)
- · 基于IR21844的电机驱动控制系统的设计 (02-17)
分立器件论坛
- · 激光二极管简介 (12-22)
- · 选择正确的MOSFET：工程师需要知道的 (10-20)
- · 功率模块IGBT、IPM、PIM的性能及问题综述 (09-02)
- · 瞬态电压抑制器(TVS)选型指南及注解 (07-02)
- · LDMOS技术详解 (03-11)
- · 选择正确的MOSFET：工程师所需要知道的 (02-25)
- · 三极管容易被静电烧毁吗？ (01-08)
- · 国产IGBT模块 (12-17)
- 分立器件资料
- 下载总排行
分立器件新闻
- · Vishay推出面积最小、厚度最薄的N沟道芯片级功率MOSFET 07-29
- · Vishay发布节约器件占位空间和系统成本解决方案的视频教程 06-21
- · 飞兆半导体荣获Power One战略供应商大奖 05-20
- · 飞兆和英飞凌达成功率MOSFET兼容协议 04-26
- · 华润微电子IGBT工艺平台通过产品设计验证 03-31
- · 英飞凌大刀阔斧推进能效及节能技术提升 09-29
- · 英飞凌在2009 PCIM中国展会推出MIPAQ base量产模块 06-05
- · 英飞凌和博世签订功率半导体合作协议 03-30
分立器件资讯
- · 22nm以后的有力候选：FD-SOI元件与FinFET接近实用化的不断发布 07-23
- · 多晶硅投产将迎"政策年"产能是否过剩再起争议 06-21
- · GaN（氮化镓）射频器件市场分析 06-08
- · 控制继电器：关注新市场 开发新产品 05-27
- · IC Insight：2010功率晶体管市场达到新高 04-28
- · 片式元器件大势所趋 小型薄膜化是方向 04-26
- · 分立器件低端市场中国企业已无差距 04-15
- · 为什么台积电在40纳米代工中能夺冠 04-08
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